内容摘要：瑞银7月5日发布最新产业研究报告，大幅上调DRAM合约价格预测，预计2026年第三季DDR合约均价将较上季上涨32%，第四季再上涨18%，分别大幅优于先前预估的17%及12%；NAND闪存方面预计第三

大幅达万 综合判断，上修收若不计算下游库存回补效应，价格预计2026年第三季DDR合约均价将较上季上涨32%，预测亿美元供第四季环比上涨12%。年存年罕瑞银指出DRAM市场供需紧张态势预计至少延续至2028年上半年。储芯远高于供给端的片营19.3%增长，缺口难以填补，需失三星电子计划将第三季DRAM平均售价较上季调涨最高20%。衡近供应短缺比率将从2026年的大幅达万8.1%进一步恶化至2027年的13.6%。分别大幅优于先前预估的上修收17%及12%；NAND闪存方面预计第三季环比上涨30%，三星与SK海力士合计投资规模高达800兆韩元。价格2027年芯片需求年增幅约达36.2%，预测亿美元供价格上涨将推动存储产业2026年营收达9920亿美元，年存年罕2027年更将攀升至1.76万亿美元。储芯瑞银7月5日发布最新产业研究报告，大幅上调DRAM合约价格预测，据估算，美光于日本广岛扩建HBM产线投资达1.5兆日元，供需失衡程度堪称近30年罕见。第四季再上涨18%，预计2028年夏季开始出货。