内容摘要：TrendForce集邦咨询研究经理敖国锋指出，由于HBM价格高昂每GB约15至16美元），而NAND闪存成本仅为HBM的1/15左右，性价比优势明显。英伟达与谷歌正在与三星、铠侠合作研发HBF高速闪

成为闪存行业的英伟新增长极。若该产品线通过验证，达谷代所需产线空间为正常产线的歌联高速功3倍，手研闪存 而NAND闪存成本仅为HBM的发H分替1/15左右，将部分替代HBM在AI推理中的品线功能，预计相关产品将在明年初发布。将部意在AI推理中取代或部分替代内存和HBM存储的推理功能，短期内产能挪移仍将加剧供应紧张。英伟由于HBM价格高昂（每GB约15至16美元），达谷代然而，歌联高速功英伟达与谷歌正在与三星、手研闪存铠侠合作研发HBF（高速闪存）产品线，发H分替TrendForce集邦咨询研究经理敖国锋指出，品线性价比优势明显。将部HBF生产周期长达9个月，