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HBF高速闪存有望2027年部分替代HBM推理功能 英伟达谷歌联手研发 但HBF生产周期长达9个月

HBF高速闪存有望2027年部分替代HBM推理功能 英伟达谷歌联手研发 但HBF生产周期长达9个月
但HBF生产周期长达9个月,高谷歌短期内产能挪移仍将加剧供应紧张。速闪由于HBM价格高昂(每GB约15至16美元),望年伟达铠侠合作研发HBF(高速闪存)产品线,部分替代M推 TrendForce集邦咨询研究经理分析,理功联手意在AI推理中部分替代HBM存储功能,高谷歌英伟达与谷歌正在与三星、速闪若通过验证将成为闪存行业新增长极,望年伟达预计相关产品明年初发布。部分所需产线空间为正常产线的替代M推3倍,性价比优势明显。理功联手而NAND闪存成本仅为HBM的高谷歌1/15左右,

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