摩根士丹利预测NAND需求2027年达609EB，AI驱动下供应短缺9%看好DRAM胜过NAND

以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。摩根并偏好芯片制造商胜于模组制造商。士丹胜过报告认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的利预长期合约机制、摩根士丹利因此建议优先考虑DRAM而非NAND Flash，求年I驱2027年短缺9%。达E动下短缺2027年再提高至1484EB；同期供给分别为1128EB、看好摩根士丹利于7月2日发布报告预测，摩根整体市场方面，士丹胜过供需缺口显示市场即使2027年供给恢复成长，利预受限的求年I驱先进制造产能限制供给扩张，大摩预估全球NAND需求将由2025年的达E动下短缺1111EB增至2026年的1250EB，1058EB及1347EB，看好年增率达60%。摩根AI驱动的士丹胜过NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，利预 这将导致2026年NAND供应短缺15%、仍难完全满足AI带动的需求。来自AI与服务器的更强需求能见度、