NAND需求2027年达609EB，AI驱动下供应短缺9%摩根士丹利看好DRAM胜过NAND

需求下供 以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应，年达2027年短缺9%。驱动缺摩AI驱动的应短NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，受限的根士先进制造产能限制供给扩张，并偏好芯片制造商胜于模组制造商。丹利来自AI与服务器的看好更强需求能见度、摩根士丹利7月2日发布报告预测，胜过报告认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的需求下供长期合约机制、因此建议优先考虑DRAM而非NAND Flash，年达年增率达60%，驱动缺摩将导致2026年供应短缺15%、应短