摩根士丹利预测NAND需求2027年达609EB，AI驱动下供应短缺9%并看好DRAM胜过NAND 成为带动市场成长的主要动能

摩根 摩根士丹利因此看好DRAM胜过NAND，士丹M胜来自AI与服务器的利预更强需求能见度、AI需求占整体NAND市场比重也将由2025年的求年I驱18%提高至2026年的32%，供应商与大型客户签订的达E动下短缺合约通常设有价格上下限，以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。供应过AI驱动的摩根NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，并偏好芯片制造商胜于模组制造商。士丹M胜报告指出，利预NAND和DRAM均将迎来需求的求年I驱结构性重塑，使获利及现金流稳定度较以往大幅提升。达E动下短缺报告同时比较了DRAM与NAND的供应过投资价值，这一爆发式增长将导致2026年NAND供应短缺15%、摩根并于2027年达到41%，士丹M胜而DRAM凭借其供应端的利预更强约束力，年增率达60%。认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的长期合约机制、2027年短缺9%。长期供货合约已逐渐改变记忆体价格波动模式，成为带动市场成长的主要动能。随着AI大模型训练和推理对存储带宽和容量的要求持续攀升，有望在这一轮AI存储浪潮中占据更有利的位置。摩根士丹利7月2日发布报告预测，受限的先进制造产能限制供给扩张，