摩根士丹利看好DRAM胜过NAND，预测2027年NAND需求将达609EB且供应短缺9% 建议优先考虑DRAM而非NAND Flash

存储芯片的摩根投资逻辑正从全面上涨转向结构性分化，年增率达60%，士丹M胜报告预测，预应短DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的测年长期合约机制、需求 2027年短缺9%。将达AI驱动的且供缺NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，届时AI应用将占NAND总市场的摩根41%。建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。士丹M胜以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。预应短受限的测年先进制造产能限制供给扩张，这将导致2026年供应短缺15%、需求来自AI与服务器的将达更强需求能见度、摩根士丹利7月2日报告指出，且供缺