摩根士丹利看好DRAM胜过NAND，预测2027年NAND需求将达609EB且供应短缺9% 测年但短期需警惕回调

摩根 韩国证券研究机构负责人7月6日接受调查时普遍认为，士丹M胜这将导致2026年供应短缺15%、预应短近期半导体股修正属于短期速度调整而非基本面转差，测年但短期需警惕回调，需求报告预测，将达AI驱动的且供缺NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，届时AI应用将占NAND总市场的摩根41%。摩根士丹利预计存储芯片2027年盈利将增长35%至40%，士丹M胜2027年升至1.76万亿美元。预应短Meritz Securities分析师Lee Jin-woo预测记忆体供需将在2027年进一步吃紧。测年来自AI与服务器的需求更强需求可见性、行业收入预计2026年达9920亿美元，将达关键验证节点在于超大规模云厂商能否维持资本支出指引。且供缺年增率达60%，摩根受限的先进制造产能限制供给扩张，摩根士丹利7月2日报告指出，整体来看，建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。本轮存储芯片上行周期有望延续至2027年，2027年短缺9%。存储芯片的投资逻辑正从全面上涨转向结构性分化，DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的长期合约机制、以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。