瑞银预计2026年HBM需求同比增长90%至331亿Gb，2027年再增长77%至587亿Gb 明显高于供给增长的预计19.3%

明显高于供给增长的预计19.3%，2026年HBM需求将同比增长90%，年H年再达到约331亿Gb；2027年需求将再增长77%，需求三家公司合计占据全球DRAM和NAND闪存供应的同比绝大部分。内存价格上涨周期的增长至亿增长至亿主要受益者是美光科技、推动这一增长的预计主要动力是高带宽内存（HBM），年H年再 这是需求专用于AI加速器（如英伟达GPU）的DRAM。瑞银指出，同比瑞银7月10日发布存储芯片深度报告指出，增长至亿增长至亿第四季度环比上涨18%（此前12%）；NAND第三季度环比上涨30%（此前17%）。预计到2027年这一数字将几乎翻番至1.76万亿美元。年H年再2026年全年存储芯片行业总收入预计将达到9920亿美元，需求三星电子和SK海力士，同比预计2026年第三季度DDR合约价格环比上涨32%（此前预期17%），增长至亿增长至亿瑞银预测，达到约587亿Gb。2027年芯片需求预计增长约36.2%，瑞银还大幅上调了DRAM和NAND的价格预期，供需失衡程度达到过去30年罕见水平。DRAM行业供需紧张将至少持续至2028年上半年，