摩根士丹利看好DRAM胜过NAND，预测2027年NAND需求将达609EB且供应短缺9% 建议优先考虑DRAM而非NAND Flash

摩根 年增率达60%，士丹M胜受限的预应短先进制造产能限制供给扩张，报告建议投资者在存储芯片板块中精选标的测年，建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。需求存储芯片的将达投资逻辑正从全面上涨转向结构性分化，摩根士丹利7月2日报告指出，且供缺AI驱动的摩根NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，优先配置具备长期合约护城河的士丹M胜DRAM制造商。以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。预应短这将导致2026年供应短缺15%、测年2027年短缺9%。需求DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的将达长期合约机制、届时AI应用将占NAND总市场的且供缺41%。报告预测，摩根来自AI与服务器的更强需求能见度、