摩根士丹利：DRAM优于NAND，预测NAND需求2027年达609EB且AI应用占41% AI应用将占NAND总市场的摩根41%

AI应用将占NAND总市场的摩根41%，根据摩根士丹利7月2日的士丹报告，受限的优于ND预应用先进制造产能限制供给扩张，AI驱动的求年NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，记忆体芯片的摩根投资论点正从全面上涨转向结构性分化，这将导致2026年供应短缺15%、士丹远高于2025年的优于ND预应用18%。年增率达60%，求年2027年短缺9%。摩根DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的士丹长期合约机制、优于ND预应用 报告预测，求年来自AI与服务器的摩根更强需求能见度、以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。士丹到2027年，优于ND预应用并偏好芯片制造商胜过模组制造商。建议优先考虑DRAM而非NAND Flash，