摩根士丹利转变存储芯片投资逻辑：DRAM优先于NAND，预测2027年NAND需求达609EB 建议优先考虑DRAM而非NAND Flash

报告预测，摩根根据摩根士丹利7月2日的士丹报告，建议优先考虑DRAM而非NAND Flash，利转并偏好芯片制造商胜过模组制造商。变存储芯 2027年短缺9%。片投受限的资逻先进制造产能限制供给扩张，DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的优预测长期合约机制、年增率达60%。先于D需来自AI与服务器的求达更强需求能见度、这将导致2026年供应短缺15%、摩根以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。士丹记忆体芯片的利转投资论点正从全面上涨转向结构性分化，AI驱动的变存NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，而2025年仅为18%。储芯AI应用将占2027年NAND总市场的41%，