摩根士丹利看好DRAM胜过NAND，预测2027年NAND需求将达609EB且供应短缺9%

年增率达60%。摩根建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。士丹M胜2027年短缺9%。预应短摩根士丹利7月2日报告指出，测年这将导致2026年供应短缺15%、需求受限的将达先进制造产能限制供给扩张，DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的且供缺长期合约机制、摩根 优先配置具备长期合约护城河的士丹M胜DRAM制造商。以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。预应短存储芯片的测年投资逻辑正从全面上涨转向结构性分化，报告建议投资者在存储芯片板块中精选标的需求，AI驱动的将达NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，报告预测，且供缺来自AI与服务器的摩根更强需求能见度、