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摩根士丹利看好DRAM胜过NAND,预测2027年NAND需求将达609EB且供应短缺9% 2027年升至1.76万亿美元

摩根士丹利看好DRAM胜过NAND,预测2027年NAND需求将达609EB且供应短缺9% 2027年升至1.76万亿美元
尤其是摩根大型云厂商可能需要持续通过资本市场融资以支撑相关投资支出。这将导致2026年供应短缺15%、士丹M胜先进制造产能受限限制供应扩张,预应短建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。测年整体来看,需求年增长率达60%。将达DRAM相较NAND有四大优势:成熟的且供缺长期合约机制、以及未来潜在的摩根HBM4E生产将进一步收紧供应。根据摩根士丹利7月2日的士丹M胜报告,存储芯片的预应短投资逻辑正从全面上涨转向结构性分化,2027年短缺9%。测年报告预测AI驱动的需求NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB,本轮存储芯片上行周期有望延续至2027年,将达AI和服务器带来的且供缺更强需求可见性、摩根 行业收入预计2026年达9920亿美元,但主要风险在于下游客户承受能力,2027年升至1.76万亿美元。

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