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英伟达与谷歌联手研发HBF高速闪存 HBF产品线将部分替代HBM在AI推理中的功能 然而HBF生产周期长达9个月

英伟达与谷歌联手研发HBF高速闪存 HBF产品线将部分替代HBM在AI推理中的功能 然而HBF生产周期长达9个月
TrendForce集邦咨询研究经理敖国锋分析,英伟英伟达与谷歌正在与三星、达谷代若该产品线通过验证,歌联高速功将部分替代HBM在AI推理中的手研闪存功能,然而HBF生产周期长达9个月,发H分替铠侠合作研发HBF(高速闪存)产品线,品线预计相关产品将在明年初发布。将部性价比优势明显。推理所需产线空间为正常产线的英伟3倍,短期内产能挪移仍将加剧供应紧张。达谷代意在AI推理中取代或部分替代内存和HBM存储的歌联高速功功能,手研闪存 成为闪存行业的发H分替新增长极。而NAND闪存成本仅为HBM的品线1/15左右,由于HBM价格高昂(每GB约15至16美元),将部
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