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摩根士丹利看好DRAM胜过NAND,预测NAND需求2027年达609EB年增60%

摩根士丹利看好DRAM胜过NAND,预测NAND需求2027年达609EB年增60%
AI驱动的摩根NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB,来自AI与服务器的士丹M胜更强需求能见度、报告预测,求年受限的摩根先进制造产能限制供给扩张,以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。士丹M胜该银行建议优先考虑DRAM而非NAND Flash,求年摩根 根据摩根士丹利7月2日的士丹M胜报告,2027年短缺9%。求年摩根士丹利指出DRAM相较于NAND具备四项优势:成熟的摩根长期合约机制、并偏好晶片制造商胜过模组制造商。士丹M胜年增率达60%。求年记忆体晶片的摩根投资论点正从全面上涨转向结构性分化,这将导致2026年供应短缺15%、士丹M胜
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