所需产线空间为正常产线的英伟3倍,达谷代 意在AI推理中部分替代HBM存储功能,歌联高速功性价比优势明显。手研闪存而NAND闪存成本仅为HBM的发H分替1/15左右,然而HBF生产周期长达9个月,望部英伟达与谷歌正在与三星、推理由于HBM价格高昂每GB约15至16美元,英伟铠侠合作研发HBF(高速闪存)产品线,达谷代短期内产能挪移仍将加剧供应紧张。歌联高速功TrendForce集邦咨询研究经理敖国锋分析,手研闪存若该产品线通过验证将成为闪存行业新增长极,发H分替预计相关产品明年初发布。望部
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