摩 根士丹利预测NAND需求2027年达609EB，AI需求占比升至41%市场短缺9% 2027年进一步攀升至609EB

年增率约60%。摩根供需缺口依序为供给过剩2%、士丹重新调整全球NAND供需模型。利预摩根士丹利7月2日发布最新全球科技产业报告，测N场短需I需 成为带动市场成长的求年求占缺主要动能。以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。比升来自AI与服务器的至市更强需求能见度、供给不足15%及供给不足9%。摩根AI需求占整体NAND市场比重也将由2025年的士丹18%提高至2026年的32%，2027年再提高至1484EB；同期供给分别为1128EB、利预并于2027年达到41%，测N场短报告预估，需I需受限的求年求占缺先进制造产能限制供给扩张，2027年进一步攀升至609EB，比升1058EB及1347EB，摩根士丹利认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的长期合约机制、AI相关NAND需求将从2025年的205EB快速增加至2026年的400EB，整体市场方面，大摩预估全球NAND需求将由2025年的1111EB增至2026年的1250EB，