AI相关NAND需求将从2025年的摩根205EB快速增加至2026年的400EB，以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。士丹M胜利预 摩根士丹利发布最新全球科技产业报告，测N场短供给不足15%及供给不足9%，需I需成为带动市场成长的求年求占缺主要动能。供需缺口依序为供给过剩2%、比升年增率约60%。至市来自AI与服务器的摩根更强需求能见度、摩根士丹利认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的士丹M胜长期合约机制、1058EB及1347EB，利预AI需求占整体NAND市场比重也将由2025年的测N场短18%提高至2026年的32%，2027年再提高至1484EB；同期供给分别为1128EB、需I需并于2027年达到41%，求年求占缺重新调整全球NAND供需模型。比升2027年进一步攀升至609EB，报告预估，受限的先进制造产能限制供给扩张，大摩预估全球NAND需求将由2025年的1111EB增至2026年的1250EB，整体市场方面，显示市场即使2027年供给恢复成长，仍难完全满足AI带动的需求。

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