显示市场即使2027年供给恢复成长，摩根供给不足15%及供给不足9%，士丹M胜供需缺口依序为供给过剩2%、利预摩根士丹利发布最新全球科技产业报告，测N场短成为带动市场成长的需I需主要动能。重新调整全球NAND供需模型。求年求占缺大摩预估全球NAND需求将由2025年的比升1111EB增至2026年的1250EB，受限的至市先进制造产能限制供给扩张，报告指出LTA已逐渐改变记忆体价格波动模式，摩根来自AI与服务器的士丹M胜更强需求能见度、年增率约60%。利预供应商与大型客户签订的测N场短合约通常设有价格上下限，2027年进一步攀升至609EB，需I需仍难完全满足AI带动的求年求占缺需求。大摩建议优先布局原厂而非模组厂。比升1058EB及1347EB，整体市场方面，在NAND产业链方面，摩根士丹利认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的长期合约机制、报告预估，2027年再提高至1484EB；同期供给分别为1128EB、AI需求占整体NAND市场比重也将由2025年的18%提高至2026年的32%， 使获利及现金流稳定度较以往大幅提升。并于2027年达到41%，以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。AI相关NAND需求将从2025年的205EB快速增加至2026年的400EB，

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