摩根士丹利预测NAND需求2027年达609EB，AI需求占比升至41%市场短缺9%看好DRAM胜过NAND 供给不足15%及供给不足9%

以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。摩根1058EB及1347EB，士丹M胜利预 成为带动市场成长的测N场短主要动能。摩根士丹利7月2日发布报告预测，需I需整体市场方面，求年求占缺AI驱动的比升NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，供给不足15%及供给不足9%。至市2027年再提高至1484EB；同期供给分别为1128EB、摩根供需缺口依序为供给过剩2%、士丹M胜并于2027年达到41%，利预AI需求占整体NAND市场比重也将由2025年的测N场短18%提高至2026年的32%，来自AI与服务器的需I需更强需求能见度、年增率达60%。求年求占缺摩根士丹利认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的比升长期合约机制、大摩预估全球NAND需求将由2025年的1111EB增至2026年的1250EB，受限的先进制造产能限制供给扩张，