
建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。摩根AI驱动的士丹NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB,年增率达60%。利预以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。测N场份来自AI与服务器的求年更强需求能见度、根据摩根士丹利7月2日的应用报告,这将导致2026年供应短缺15%、占市2027年短缺9%。摩根报告预测,士丹而2025年仅为18%。利预DRAM相较于NAND具备四项优势:成熟的测N场份长期合约机制、求年
受限的应用先进制造产能限制供给扩张,记忆体芯片的占市投资论点正从全面上涨转向结构性分化,AI应用将占2027年NAND总市场的摩根41%,