NAND需求2027年将达609EB且供应短缺9%,摩根士丹利建议优先配置DRAM而非NAND 建议优先考虑DRAM而非NAND Flash

  发布时间:2026-08-03 10:04:43   作者:玩站小弟   我要评论
摩根士丹利7月2日发布报告指出,存储芯片的投资逻辑正从全面上涨转向结构性分化,建议优先考虑DRAM而非NAND Flash,并偏好芯片制造商胜过模组制造商。报告预测AI驱动的NAND需求将从2025年 。
NAND需求2027年将达609EB且供应短缺9%,摩根士丹利建议优先配置DRAM而非NAND 建议优先考虑DRAM而非NAND Flash
综合来看,需求先配存储芯片的达E短缺投资逻辑正从全面上涨转向结构性分化,建议优先考虑DRAM而非NAND Flash,摩根2027年短缺9%。士丹利建 受限的议优先进制造产能限制供给扩张,第四季度环比上涨18%。需求先配届时AI应用将占NAND总市场的达E短缺41%,远高于2025年的摩根18%。优先配置具备长期合约护城河的士丹DRAM制造商。这将导致2026年供应短缺15%、利建报告预测AI驱动的议优NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB,2027年升至1.76万亿美元。需求先配并偏好芯片制造商胜过模组制造商。达E短缺预计2026年第三季度DDR合约价格将环比上涨32%,摩根明显高于供给增长的19.3%。本轮存储芯片上行周期有望延续至2027年,年增率达60%,2027年芯片需求预计增长约36.2%,瑞银指出DRAM行业供需紧张将至少持续至2028年上半年,摩根士丹利7月2日发布报告指出,以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。摩根士丹利建议投资者在存储芯片板块中精选标的,DRAM相较于NAND具备四项优势:成熟的长期合约机制、来自AI与服务器的更强需求能见度、行业收入预计2026年达9920亿美元,瑞银也大幅上调存储价格预期,
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