摩根士丹利预测NAND需求2027年达609EB，AI驱动记忆体结构性分化

摩根士丹利认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的摩根长期合约机制、报告预测，士丹AI应用将占2027年NAND总市场的利预41%，报告强调，需性分建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。求年I驱AI驱动的达E动记NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，随着AI模型参数规模持续向万亿级突破，忆体年增率达60%，结构摩根士丹利7月2日发布报告指出，摩根来自AI与服务器的士丹更强需求能见度、利预 而2025年仅为18%。需性分记忆体芯片的求年I驱投资论点正从全面上涨转向结构性分化，以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。达E动记2027年短缺9%。忆体全球对高带宽记忆体的需求正呈现指数级增长，受限的先进制造产能限制供给扩张，这将导致2026年供应短缺15%、记忆体芯片市场的供需格局正在经历深刻的结构性重塑。