摩根士丹利看好DRAM胜过NAND，预测2027年NAND需求将达609EB且供应短缺9% 且供缺摩根2027年短缺9%

报告建议投资者在存储芯片板块中精选标的摩根，来自AI与服务器的士丹M胜更强需求能见度、受限的预应短先进制造产能限制供给扩张，DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的测年长期合约机制、优先配置具备长期合约护城河的需求DRAM制造商。以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。将达摩根士丹利7月2日报告指出，且供缺建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。摩根本轮存储芯片上行周期有望延续至2027年。士丹M胜存储芯片的预应短投资逻辑正从全面上涨转向结构性分化，AI驱动的测年NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，报告预测，需求这将导致2026年供应短缺15%、将达整体来看，且供缺摩根 2027年短缺9%。年增率达60%。