报告预测，摩根士丹 建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。利预AI驱动的驱求年缺NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，存储芯片的动N达投资论点正从全面上涨转向结构性分化，而2025年仅为18%。增供年增率达60%。应短根据摩根士丹利7月2日的摩根报告，报告还指出AI应用将占2027年NAND总市场的士丹41%，这将导致2026年供应短缺15%、利预2027年短缺9%。驱求年缺这一结构性分化预示着存储芯片产业的动N达投资逻辑正从全面景气转向精细化选股，芯片制造环节在供需持续紧张的增供背景下将获得更大的价值分配份额。

(责任编辑：综合)