到2027年，摩根远高于2025年的士丹18%。来自AI与服务器的利预更强需求能见度、以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。测N场份记忆体芯片的求年投资论点正从全面上涨转向结构性分化，AI驱动的应用NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，年增率达60%，占市DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的摩根长期合约机制、受限的士丹先进制造产能限制供给扩张，利预 AI应用将占NAND总市场的测N场份41%，建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。求年报告预测，应用根据摩根士丹利7月2日的占市报告，这将导致2026年供应短缺15%、摩根2027年短缺9%。

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