摩根士丹利预测NAND需求2027年达609EB，AI驱动记忆体结构性分化 摩根摩根士丹利发布报告指出

随着AI模型参数规模持续向万亿级突破，摩根摩根士丹利发布报告指出，士丹全球对高带宽记忆体的利预需求正呈现指数级增长。报告预测，需性分报告强调，求年I驱建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。达E动记AI驱动的忆体NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，而2025年仅为18%。结构记忆体芯片的摩根投资论点正从全面上涨转向结构性分化，以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。士丹2027年短缺9%。利预叠加AI智能体的需性分大规模落地部署，摩根士丹利认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的求年I驱长期合约机制、来自AI与服务器的达E动记更强需求能见度、AI应用将占2027年NAND总市场的忆体41%，受限的先进制造产能限制供给扩张，年增率达60%，这将导致2026年供应短缺15%、