
该银行因此建议优先考虑DRAM而非NAND,摩根1058EB及1347EB,士丹M胜并于2027年达到41%,利预整体市场方面,测N场短供给不足15%及供给不足9%。需I需AI驱动的求年求占缺NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB,比升
重新调整全球NAND供需模型。至市AI需求占整体NAND市场比重也将由2025年的摩根18%提高至2026年的32%,摩根士丹利于7月2日发布报告,士丹M胜成为带动市场成长的利预主要动能。摩根士丹利认为DRAM相较于NAND具备四项优势:成熟的测N场短长期合约机制、受限的需I需先进制造产能限制供给扩张,供需缺口依序为供给过剩2%、求年求占缺来自AI与服务器的比升更强需求能见度、以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。报告预估,并偏好芯片制造商胜于模组制造商。年增率达60%。2027年再提高至1484EB;同期供给分别为1128EB、大摩预估全球NAND需求将由2025年的1111EB增至2026年的1250EB,