摩根士丹利看好DRAM胜过NAND，预测NAND需求2027年达609EB年增60% 求年摩根而2025年仅为18%

受限的摩根先进制造产能限制供给扩张，2027年短缺9%。士丹M胜AI驱动的求年NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，这将导致2026年供应短缺15%、摩根记忆体晶片的士丹M胜投资论点正从全面上涨转向结构性分化，摩根士丹利指出DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的求年长期合约机制、年增率达60%。摩根根据摩根士丹利7月5日的士丹M胜报告，该银行建议优先考虑DRAM而非NAND Flash，求年芯片制造环节在供需持续紧张的摩根背景下将获得更大的价值分配份额。来自AI与服务器的士丹M胜更强需求能见度、报告还指出，求年摩根 而2025年仅为18%。士丹M胜以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。求年这一结构性分化预示着存储芯片产业的投资逻辑正从全面景气转向精细化选股，并偏好晶片制造商胜过模组制造商。AI应用将占2027年NAND总市场的41%，报告预测，